TSM60NB041PW C1G
/MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 78A
TSM60NB041PW C1G的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:78 A
Rds On-漏源导通电阻:38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:139 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:446 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
晶体管类型:N-Channel Power MOSFET
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:148 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:152 ns
工厂包装数量:500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:445 ns
典型接通延迟时间:107 ns
TSM60NB041PW C1G
TSM60NB041PW C1G的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM60NB041PW C1G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 78A | 1:¥106.0392 10:¥96.5924 25:¥92.2871 50:¥87.2134
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